SiC DIODES

Дом - Products - SiC DIODES

SiC DIODES

  • SiC Diode

    The main principle of a diode is to utilize the unidirectional conductivity of a PN junction. By adding leads and encapsulation to the PN junction, a diode is formed.

    SCS210AG, SCS210AM, SCS210AJ, SCS210KE

  • SiC MOSFETs

    A field-effect transistor (FET) is a type of transistor that conducts electricity using majority carriers. There are two main types: junction field-effect transistors (JFETs) and metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs). They are voltage-controlled semiconductor devices and possess advantages such as high input resistance (10⁷–10¹⁵ Ω), low noise, low power consumption, wide dynamic range, ease of integration, no secondary breakdown, and a wide safe operating area.

    D2075200DYG3, D207570PYG3, D206550PGH, D207570NCFYG3, D212013NCFYG3M, DH12040NCFYG3, D212060NCTYG3, D212080NCFYG3, D212025NCFYG3, D2120120NCFYG3, D207550NCFYG3

DAYA ТАКЖЕ МОЖЕТ БЫТЬ OEM/ ODM-ЧИПАМИ И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМИ РЕШЕНИЯМИ
ВОПЛОТИТЕ СВОЕ ВИДЕНИЕ В РЕАЛЬНОСТЬ

мы создадим идеальные профессиональные решения для производства микросхем и полупроводниковых изделий для вашего рынка.

ПАРТНЕР DAYA ELECTRONICS ДЛЯ РАЗРАБОТКИ ЭКСПЕРТНЫХ РЕШЕНИЙ

Связаться с нами

Связаться с нами

+86 134 8085 3808

Комната 1626-1633, здание Дунмин, дорога Минкан, улица Минчжи, район Лонхуа, Шэньчжэнь, Китай

ЗАПРОСИТЬ ЦЕНОВОЕ ПРЕДЛОЖЕНИЕ

ЗАПРОСИТЬ ЦЕНОВОЕ ПРЕДЛОЖЕНИЕ

verify
Авторские права @ DAYA ELECTRONICS CO.,LTD Все права защищены | Powered by